王鹏飞
发表时间:2014-10-20 阅读次数:1644次

    王鹏飞,男,博士生导师、研究员、上海市东方学者特聘教授。分别于1998年、2001年获复旦大学学士、硕士学位。2003年12月在德国获慕尼黑工业大学工学博士学位(summa cum laude)。2004年起,在德国英飞凌科技存储器部门工作,从事新型存储器器件开发和工艺集成。2009年加入复旦大学,任研究员。目前王鹏飞拥有授权专利与专利申请40余项,在Electron Device Letters、IEDM、Solid-State Electronics等期刊和会议上发表论文50多篇。曾发明互补隧穿场效应晶体管、浮动结栅器件、双金属浮栅存储器、浮动结栅图像传感器等一系列新型微电子器件。是Solid-State Electronics、IEEE Electron Device Letters杂志的审稿人。


研究方向
    微电子器件设计与制造:包括互补隧穿场效应晶体管(CTFET)和U形沟道隧穿场效应晶体管(U-shape TFET);新型存储器器件比如双金属浮栅器件; 以及新型功率器件。 
    集成电路工艺:包括高k栅介质和先进铜互连工艺等。


国际合作
    与慕尼黑国防军大学电子与信息技术系物理研究所(http://www.unibw.de/eit9/institut)有合作关系,可选送学生到德国进行国际交流。


在研课题

  1. U形沟道隧穿场效应晶体管的设计与制备;
  2. 新型双金属浮栅(DMFG)存储器的设计与制备;
  3. 铪基、锆基高k栅介质材料及其原子层淀积关键制备技术。

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