量子开关与低维漏电薄膜的电位移测量方法
发表时间:2009-06-18 阅读次数:723次

    江安全教授所领导的研究小组和韩国首尔大学Hwang教授的研究小组合作,通过铁电和高k薄膜材料的集成,发现当外加电场和铁电电畴取向相反时,电介质材料中能够施加的瞬间电场可强达~12MV/cm,且电介质材料没有被击穿,电介质材料的量子隧穿电流随电场急遽增大,当电场变化15%时,电流可变化4-5个数量级;当外加电场和铁电电畴取向一致时,以上量子隧穿电流现象消失。 


    这种量子开关现象不仅可以运用在铁电薄膜存储器中锁定所存储的逻辑信息,大大地延长了存储器件的读写次数和信息保持时间,同时也开创了铁电和高k薄膜材料漏电通道相互堵塞的电学测量方法,为强电场下的电介质物理的研究提供了一个非常有效的测试平台。在国际上,漏电薄膜电位移的测量技术目前仍具有极大的挑战性。漏电通道相互堵塞的电学测量方法使得铁电漏电薄膜或电介质漏电薄膜的电位移表征成为了可能,为低维电学薄膜的尺寸效应和量子行为的研究提供了一种重要途径。以上研究结果发表在Adv. Mater.21,1-6(2009)上(目前为网络版)。

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