| 编号 | 名称 | 型号 | 规格 | 生产厂家 | 国别 |
| Z1400532 | 热阻蒸发镀膜设备 | Nano36 | 3个热阻蒸发源 | 美国科特莱思科公司 | 美国 |
| H1305662 | 化学气相沉积系统 | SC-300 | 12英寸 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 中国 |
| Z1201288 | 全自动探针台 | UF3000EX-e型 | AC200V，50/60Hz，3kVA | 日本Tokyo公司 | 日本 |
| Z1200604 | 存储器参数测试系统 | RIFLE-SE | 3nA/1.2-4V | 意大利Nplust公司 | 意大利 |
| Z0901036 | 半导体存储器参数测试仪 | 4200-SCS/F | 100-240V，1KVA | 美国Keithley公司 | 美国 |
| Z0892321 | 扫描探针显微镜 | Nanoscope | * | 美国Veeco Instruments 公司 | 美国 |
| Z0700581 | 手动探针台 | Cascade R4800 | 手动 | 美国CASCADE | 美国 |
| Z0627210 | 电学测试系统 | 高精度IV/CV等 | * | 美国AGILENT公司 | 美国 |
| 20062145 | 台阶分析仪 | XP-2 | * | 美国 | 美国 |
| 20036588 | 芯片测试系统 | 93000 | * | 美国AGILENT公司 | 美国 |
| Z1400568 | 柔性四件组装加工手套箱 | spectors 150型 | 4m*1m*1.2m | Kurt J.Lesker 公司 | 英国 |
| Z1400567 | 大面积柔性三维光刻 | Nano Photonic Pro 型 | 分辨率:150nm | Nano Precision | 德国 |
| Z1400566 | 柔性电子制造设备 | Aerosol Jet Pro 300型 | 精度：30微米 温度：小于200摄氏度 | Optomec公司 | 美国 |
| Z1400084 | 亚微米级贴片设备 | Fineplacer Lambda 型 | 可处理最小 5 µm 的芯片,支持最大晶圆尺寸： 6" | Finetech | 德国 |
| Z1400083 | 无线和微波频段测试系统 | DSAX96204Q型 | 63 GHz 带宽，160 GSa-s 采样率，存储容量高达 2 Gpts | Agilent technologies | 新加坡 |
| Z1400082 | 激光键合设备 | Unix-413L Ⅲ型 | 最大激光功率：30瓦 最大平均功率：10瓦 | Japan Unix | 日本 |
| Z1400081 | 台式扫描式电子显微镜 | Phenom proX 型 | 放大倍数：20×-100,000×；分辨率：优于17nm | Phenom-World BV 公司 | 荷兰 |
| Z1400080 | 柔性四件电化学加工测试平台 | CIMPS 型 | P210，XPOT 作为光源电源 | Zahner 公司 | 法国 |
| Z1400059 | 高性能频谱分析仪 | N5225A型 | PNA系列 | Agilent technologies | 新加坡 |
| Z1400058 | 高性能频谱分析仪 | N9030A型 | PXA系列 | Agilent technologies | 新加坡 |
| H1206362 | 等离子刻蚀系统 | SPTS LPX ICP | 适用范围：4寸片 | 英国SPTS公司 | 英国 |
| Z1200521 | 实验室电路板快速系统（激光机） | ProtoLaser S | 线宽线距：0.2mm | 乐普科公司 | 德国 |
| Z0900910 | 射频探针台 | SUMMIT 12000B-M | * | 美国Cascade公司 | 美国 |
| Z0900653 | 原位纳米力学测试系统 | TI-700 Ubi | 纵向载荷力分辨率达3nm | 美国Hysitron公司 | 美国 |
| H0901754 | 超低温手动探针台 | TTP4 | 手动/温度可调（4.2-475K） | 美国LakeShore有限公司 | 美国 |
| Z0892808 | 智能型傅立叶红外光谱分析仪 | Nicolet 6700 | 光谱分辩率：优于0.09cm-1/光谱范围：7800-350cm-1 | 美国Thermofisher公司 | 美国 |
| Z0892807 | 显微喇曼/荧光光谱仪 | inVia型 | * | 英国Renishaw公司 | 英国 |
| Z0892377 | 数字电视芯片测试系统 | R&S SFU型 | 输出频率:100kHz-3GHz，I/Q调制器射频带宽:180MHz；极低的SSB相位噪声,1GHz时典型值为-135dBc；可调的高功率输出，最高可达+19dBm(PEP)，超出量程可达+26dBm。 | 德国Rohde-Schwarz公司 | 德国 |
| H1405967 | 气相沉积系统 | R-200 Advanced | 12源系统 最大放置8英寸基片 | 芬兰Picosun OY公司 | 芬兰 |
| H1306316 | 薄膜沉积系统 | PVD75 | 2个直流靶枪/1个射频 4”承片台 | Kurt J Lesker公司 | 美国 |
| H1301553 | 化学气相沉积系统 | Firstnano Easytube 3000 | 4英寸 | CVD公司 | 美国 |
| H1212833 | 超高真空激光分子束系统 | PLD-1 | 1E-8Torr真空/800度加热 | 台湾铠柏科技有限公司 | 中国台湾 |
| H1212767 | 原子层淀积系统 | TFS200 | 8寸 | 芬兰BENEQ公司 | 芬兰 |
| H1206166 | 矢量网络分析仪 | N5224A | 10M-43G Hz/2 端单源 | Agilent公司 | 美国 |
| H1203458 | 微波退火设备 | AXOM200 | 2-8寸/600度 | DSGI Technologies Inc. | 美国 |
| H1203226 | 准分子气体激光器 | compex*pro201 | 248nm | Coherent公司 | 德国 |
| H1108351 | 高精密电学测试探针台 | summit-1 | 11000B-m | 美国Cascade公司 | 美国 |
| H1108135 | 纳米热分析系统 | Multimode 8型 | 分辨率10X10纳米 | Bruker公司 | 美国 |
| Z1100835 | 信号源分析仪 | E5052B | 7G频率 | Agilent公司 | 美国 |
| Z1100163 | 频谱分析仪 | E4440A | * | 美国/Agilent | 美国 |
| Z0901047 | X射线衍射仪 | D8型 | 最大输出功率：3kW /测量范围2keV ～ 30keV；能量分辨率： E ≥279 eV | 德国Bruker-AXS公司 | 德国 |
| Z0900907 | 矢量网络分析仪 | E8363C | 10MHz to 40Gz | 美国Agilent公司 | 美国 |
| Z0900906 | 矢量信号源 | E8267D | 44GHZ | 美国Agilent公司 | 美国 |
| H0905603 | 实时示波器 | DS091204A | 40GSa/s采样率 | Agilent | 美国 |
| H0903657 | 椭圆偏振光谱仪 | GES5E | 聚焦长度750nm | 法国SOPRA公司 | 法国 |
| Z0900273 | 硬件加速仿真验证仪 | Veloce | 支持1千6百万门ASIC有效门的设计容量 | 美国Mentor有限公司 | 美国 |
| Z0892416 | 频谱分析仪 | Agilent E4440A | 频率范围:3Hz-26.5GHz | 美国Agilent公司 | 美国 |
| 20062206 | 矢量信号发生器 | E4438C | * | 安捷伦公司 | 美国 |
| 20062204 | 矢量信号分析仪 | 89641A | * | 安捷伦公司 | 美国 |
| H1306680 | 铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统 | Aarhus 150-MBE-BO-III-V-4Z/Multiprobe 2/2 HRSEM | 真空度10¯9Torr | 德国Specs公司 | 德国 |
| H1305852 | 半导体晶片探针台 | T200M-STA-M型 | 50FA | 美国Cascade公司 | 美国 |
| H1305745 | 互连铜导线成分分析仪 | GD-Profiler 2型 | 光谱范围110-620nm | 法国Horiba JobinYvon公司 | 法国 |
| H1305617 | 化学气相沉积系统 | SC-300 | 380V交流电-三相5线/50HZ/25KVA | 沈阳拓荆科技有限公司 | 中国 |
| H1304663 | 低介电常数介质电容（K值）测试设备 | B1505A | 500W | Agilent公司 | 美国 |
| H1304163 | 微细加工ICP刻蚀机 | GSE 200PLUS | Si基片-采用Oxide掩膜/Open area=0.5%-20%/刻蚀深度30um | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 中国 |
| H1303978 | 快速热退火系统 | ASONE 100 | 室温 ~ 1300 ℃ / 最高昇温速度 ：50 ℃ / sec以上 | 法国ANNEALSYS公司 | 法国 |
| H1212683 | 探针测试台 | SH-8 | 8英寸 | 森美协尔国际有限公司 | 中国香港 |
| H1109087 | 半导体参数分析仪 | B2500A | 220V/50HZ | Agilent公司 | 美国 |
| H1104861 | 白光干涉仪 | NanoMap-WLI | 150mm | 美国AEP Technology公司 | 美国 |
| H1102211 | 桌上型化学机械抛光设备 | CETR-CP4 | 4英寸 | 美国CETR公司 | 美国 |
| H1102096 | 纳米压印设备 | Eitre 6 | 6英寸 | 瑞典Obduct公司 | 瑞典 |
| H1009055 | 原子层淀积系统 | TFS-200 | 8英寸 | 芬兰BENEQ公司 | 芬兰 |
| H1004092 | 高精度探针台 | MM8060 | 6寸 | micromanupulator | 美国 |
| Z0901041 | 探针测试台 | SUMMIT 11000B-M型 | 230V/3A | 美国Cascade公司 | 美国 |
| H0899981 | 纳米器件溅射仪 | ASC-4000-C4 Type L型 | * | 日本ULVAC | 日本 |
| H0899980 | 存储薄膜溅射仪 | ACS-4000-C4 Type S型 | * | 日本ULVAC公司 | 日本 |
| 20046740 | 原子层化学气相沉淀系 | F-120/4寸硅片 | 单片腔体系统 | AMS公司 | 芬兰 |
| 20046662 | 等离子反应离子刻蚀机 | RIE-10NR | * | SAMCO公司 | 日本 |
| 20043432 | 物理气相淀积系统 | INOVA | 8寸硅片4个腔 | 诺发公司 | 美国 |
| 20043431 | 等离子体增强介质薄膜 | 淀积系统 | 8寸硅片 | 诺发公司 | 美国 |
| 20043430 | 化学机械抛光系统 | 8寸硅片 | * | 诺发公司 | 美国 |
| 20043429 | 铜电镀系统 | SABRECLASSIC200 | 8寸硅片3个电镀槽 | 诺发公司 | 美国 |