实验室王鹏飞教授对半浮栅晶体管进行了全面的研究，强化了对SFGT的基础原理的深入研究，掌握了不同温度下器件速度、功耗和器件结构设计之间的关系，探索器件微缩的极限。同时还研究了SFGT存储器的180纳米、40纳米甚至22纳米的三维器件结构，得到了单元面积大大缩小的器件。目前，40-60nm器件得到实验验证、20nm器件结构基本制造可行。

       王鹏飞教授研究了半浮栅晶体管器件spice模型建模，建立了器件的等效电路spice建模，使之成为一个基础电路元器件可以在HSPICE／PSPICE软件环境下仿真。进一步的进行了寄生参数提取，优化了字线和位线结构，以及信噪比，并且设计出了性能良好的芯片阵列。这项研究结果建立了半浮栅器件的电学仿真模型并进一步设计出芯片，是一项开创性的研究工作，成果“Investigation of Temperature Dependence, Device Scalability, and Modeling of Semifloating-Gate Transistor Memory Cell”发表在IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES上。