柔性电子技术是信息技术领域的研究热点。存储器件是电子器件的基本组成部分，在柔性基底上实现性能优越的非挥发存储器件对于实现柔性电子的片上系统功能有重要意义。相比于其他非易失性存储器，阻变器件在柔性存储领域有着先天优势：器件制备可以完全依托低温工艺实现；器件性能不会随工艺温度而衰退；可以很好地实现与柔性衬底的集成等。然而，阻变器件在开关均一性、可靠性等方面需要深入优化。另一方面，阻变器件具有可控的阻态变化，高的集成密度以及较低的功耗，在神经突触仿生应用中具有很大优势。现今报道的基于阻变的突触仿生器件均在诸如硅等硬基底上实现。在柔性基底上实现神经突触仿生器件具有极大的科学研究价值和现实意义。

       实验室新器件创新团队首次提出了基于柔性基底的TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突触器件。在器件制备中通过引入Ag纳米晶颗粒，将TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突触器件在SET/RESET过程中导电细丝形成或断裂的位置束缚在Ag纳米晶颗粒附近，进而优化了阻变器件的开关均一性以及稳定性，同时极大降低了器件的功耗。课题组进一步深入研究了TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突触器件的突触仿生行为。器件的电导在电学激励下实现了连续可调的转变行为，验证了其在面向神经计算领域应用的可行性。该研究成果对于将阻变器件集成到柔性电子仿生体系具有指导和借鉴意义，论文“Resistive Switching and Synaptic Behaviors of TaN/Al2O3/ZnO/ITO Flexible Devices With Embedded Ag Nanoparticles”发表在IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上。